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512Mb NAND FLASH
大盛唐电子 | 2013-12-26 23:14:05    阅读:2138   发布文章

爱拓(ATO)科技成立于2007年,公司以生产提供数码相机和移动产品等IT设备必要的NAND FLASH和 多晶圆封装产品 (Nand+DRAM) 的企业。自主设计研发的256Mb、512Mb、1Gb SLC产品,广泛应用于数码相机、手机、机顶盒、T-Flash、TV等产品上。

特性总结:

*Power Supply
-3.3V Device(AFND1208U1) 2.7V ~ 3.6V
*Organization
-Memory Cell Array : (64M + 2M) x 8bits
*Copy-Back PROGRAM Operation
-Fast Page copy without external buffering
*Command Register Operation
*Security features
-Data Register : (512 + 16) x 8bits
*Automatic Program and Erase
-Page Program : (512 + 16) x 8bits
-Block Erase : (16K +512)Bytes = 32pages
*Page Read Operation
-Page Size : (512 + 16)Bytesy
-OTP area, 16Kbytes(32 pages)
*Hardware Data Protection
-Program / Erase locked during Power transitions
*Data Integrity
-Endurance : 100K Program / Erase Cycles
(With 1bit/528byte ECC)
-Random Access : 15us(Max.)
-Serial Page Access : 30ns(Min.)
*Fast Write Cycle Time
-Program time : 200us(Typ.)
-Block Erase time : 2ms(Typ.)
-Data Retention : 10 years
*Package
-AFND1208U1 : Pb-Free Package
48-pin TSOP(12 x 20 / 0.5 mm pitch)
48-Ball FBGA: 9.0 x 9.0 x 1.0mm

产品信息:

 

爱拓(ATO)科技成立于2007年,公司以生产提供数码相机和移动产品等IT设备必要的NAND FLASH和 多晶圆封装产品 (Nand+DRAM) 的企业。自主设计研发的256Mb、512Mb、1Gb SLC产品,广泛应用于数码相机、手机、机顶盒、T-Flash、TV等产品上。

特性总结:

*Power Supply
-3.3V Device(AFND1208U1) 2.7V ~ 3.6V
*Organization
-Memory Cell Array : (64M + 2M) x 8bits
*Copy-Back PROGRAM Operation
-Fast Page copy without external buffering
*Command Register Operation
*Security features
-Data Register : (512 + 16) x 8bits
*Automatic Program and Erase
-Page Program : (512 + 16) x 8bits
-Block Erase : (16K +512)Bytes = 32pages
*Page Read Operation
-Page Size : (512 + 16)Bytesy
-OTP area, 16Kbytes(32 pages)
*Hardware Data Protection
-Program / Erase locked during Power transitions
*Data Integrity
-Endurance : 100K Program / Erase Cycles
(With 1bit/528byte ECC)
-Random Access : 15us(Max.)
-Serial Page Access : 30ns(Min.)
*Fast Write Cycle Time
-Program time : 200us(Typ.)
-Block Erase time : 2ms(Typ.)
-Data Retention : 10 years
*Package
-AFND1208U1 : Pb-Free Package
48-pin TSOP(12 x 20 / 0.5 mm pitch)
48-Ball FBGA: 9.0 x 9.0 x 1.0mm

产品信息:

 

爱拓(ATO)科技成立于2007年,公司以生产提供数码相机和移动产品等IT设备必要的NAND FLASH和 多晶圆封装产品 (Nand+DRAM) 的企业。自主设计研发的256Mb、512Mb、1Gb SLC产品,广泛应用于数码相机、手机、机顶盒、T-Flash、TV等产品上。

特性总结:

*Power Supply
-3.3V Device(AFND1208U1) 2.7V ~ 3.6V
*Organization
-Memory Cell Array : (64M + 2M) x 8bits
*Copy-Back PROGRAM Operation
-Fast Page copy without external buffering
*Command Register Operation
*Security features
-Data Register : (512 + 16) x 8bits
*Automatic Program and Erase
-Page Program : (512 + 16) x 8bits
-Block Erase : (16K +512)Bytes = 32pages
*Page Read Operation
-Page Size : (512 + 16)Bytesy
-OTP area, 16Kbytes(32 pages)
*Hardware Data Protection
-Program / Erase locked during Power transitions
*Data Integrity
-Endurance : 100K Program / Erase Cycles
(With 1bit/528byte ECC)
-Random Access : 15us(Max.)
-Serial Page Access : 30ns(Min.)
*Fast Write Cycle Time
-Program time : 200us(Typ.)
-Block Erase time : 2ms(Typ.)
-Data Retention : 10 years
*Package
-AFND1208U1 : Pb-Free Package
48-pin TSOP(12 x 20 / 0.5 mm pitch)
48-Ball FBGA: 9.0 x 9.0 x 1.0mm

产品信息:

详细资料请访问www.szdst.com.cn

韩国ATO一级代理商大盛唐集团有限公司     

    E-mail:Rock@szdst.com.cn


   电话:150 020 76759
   QQ:139 356 7706
    联系人:周生
   地址:深圳市龙华新区民康路东明大厦11楼

 

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